2025越南亚太半导体展览会

时间:2025年05月14-16日
地点:越南河内国际会展中心(ICE)

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展会新闻

三星芯片,动作频频

来源:2025越南亚太半导体展览会        发布时间:2024-07-05

三星芯片,动作频频


展会名称:2024南昌国际半导体及集成电路博览会  

时间:2024年9月27-29日

地点:南昌绿地国际博览中心

展馆详细地址:南昌市红谷难区怀玉山大道1315号


自从在HBM上败给SK海力士,三星开启了一系列大动作,例如早前撤换了公司的半导体业务的领导人。


三星电子高管日前在韩国的一场演讲中指出,三星在 DRAM、NAND 和逻辑技术方面拥有专业知识,未来将抓住良好机遇。”不过,他也承认该行业面临着重大挑战。“尽管创新的半导体技术已经准备就绪,但半导体的前进之路似乎极其艰难,”他说。“全球芯片制造商必须处理的技术数量和范围正在以惊人的程度扩大。”


该高管道:“鉴于巨大的市场和未来机遇需要大量的准备,与各种合作伙伴的合作至关重要。三星电子打算走在这股浪潮的最前沿。”在谈到与 NVIDIA 合作进行的 HBM 质量测试。

该高管回应道:“我们正在努力工作,并期待取得好结果。”


从相关表现看来,三星芯片,最近动作频频。


三星组建新 HBM 开发团队,专注于HBM 4


三星电子在其设备解决方案 (DS) 部门内成立了新的“HBM 开发团队”,以增强其在高带宽内存 (HBM) 技术方面的竞争力。这一战略举措是在副董事长 Kyung-Hyun Kyung 就任 DS 部门负责人一个多月后采取的,反映了该公司致力于在快速发展的半导体市场中保持领先地位的决心。


新成立的 HBM 开发团队将专注于推进 HBM3、HBM3E 和下一代 HBM4 技术。该计划旨在满足人工智能 (AI) 市场扩张带来的对高性能内存解决方案的激增需求。今年早些时候,三星已经成立了一个工作组 (TF) 来增强其 HBM 竞争力,新团队将整合和提升这些现有的努力。


自 2015 年以来,三星电子一直在其内存业务部门内运营 HBM 开发组织。今年 2 月,该公司通过开发 HBM3E 12 层堆栈实现了一个重要里程碑,这是业界首个将 DRAM 芯片堆叠到 12 层的产品。该产品拥有业界最大的容量,为 36 千兆字节 (GB)。HBM3E 8 层和 12 层堆栈的样品已经交付给 NVIDIA 进行质量测试。


据业内人士透露,“三星电子设备解决方案 (DS) 部门进行了组织重组,以成立 HBM 开发团队为中心。”同一消息人士补充道,“新成立的 HBM 开发团队预计不仅将专注于开发 HBM3 和 HBM3E,还将专注于开发第六代产品 HBM4 技术。”


高带宽内存 (HBM) 是一种用于高性能计算应用(例如显卡、数据中心和 AI 处理)的内存类型。与传统内存类型相比,它以速度快、效率高而闻名。AI 市场的快速增长显著增加了对包括 HBM 在内的先进计算技术的需求。机器学习和神经网络等 AI 应用需要强大的计算能力和内存带宽,从而推动了对先进内存解决方案的需求。


三星 DS 部门最近发生领导层变动,Kyung-Hyun Kyung 上任,这为旨在增强 HBM 市场竞争力的战略决策和组织重组提供了背景。


此举凸显了这家韩国科技巨头致力于加强其 HBM 研发结构的决心。HBM 是一种需求量很大的高性能 DRAM,尤其是对于 Nvidia 的图形处理单元而言,而这正是 AI 计算的关键。


为了巩固地位,三星电子还重组了先进封装团队和设备技术实验室,以增强整体技术竞争力。


最新的变化正值三星努力提高其在蓬勃发展的 HBM 市场的竞争力之际。


提升 DRAM 和 HBM 产量


为应对不断增长的内存芯片需求,韩国两大内存芯片制造商三星电子和 SK 海力士正在平泽和无锡最大的 DRAM 芯片制造厂加大产能。两家公司都在增加晶圆投入,以提高高带宽内存 (HBM) 和通用 DRAM 的产量,预计这些产品将供不应求。


据估计,三星电子韩国平泽工厂今年第二季度生产了 82 万片 DRAM 晶圆,比上一季度增长了 27%。一位熟悉三星内部运营的消息人士表示:“高层已指示逐步增加 DRAM 晶圆投入量。”该公司预计第三季度 DRAM 晶圆投入量将增至 88 万片,第四季度将增至 90 万片,并在第四季度达到最大产能。


三星和 SK 海力士的目标是提高通用 DRAM 的销量,以及受人工智能需求激增推动的蓬勃发展的 HBM 市场。HBM 是 Nvidia 图形处理单元 (GPU) 的重要组成部分,为 OpenAI 的 ChatGPT 等生成式人工智能系统提供支持。由于 HBM 是通过堆叠最先进的 DRAM 制成的,因此更多的 HBM 销售将减少 DRAM 供应。两家公司大幅增加 DRAM 产量也是为了抵消转向 HBM 的产量。


公司内部越来越担心三星明年的 DRAM 产能可能会下降。这也是三星最近提高 DRAM 产能的原因之一。三星正在将其 DRAM 制造工艺从旗舰 1a(第四代 10 纳米级)过渡到 1b(第五代 10 纳米级)。通常,在这样的过渡期内,生产线设备可能会停止或进行维护,从而导致一些生产损失。


重组汽车芯片开发,专注于人工智能芯片


作为专注于人工智能 (AI) 芯片的战略调整的一部分,三星电子正在调整其汽车半导体开发速度。这一转变发生在行业向人工智能发展的广泛趋势和 ChatGPT 等最新发展背景下,这些发展对三星的芯片设计战略产生了重大影响。


7月3日,有消息称,三星负责芯片设计的系统LSI部门进行了业务和组织重组,优先发展AI芯片。此次重组导致对下一代汽车处理器“Exynos Auto”(代号KITT3)的重新考虑。之前从事该芯片开发的人员已在该部门内重新分配到AI系统级芯片(SoC)团队,该团队现在是三星设计工作的重点。目前,该部门集中了100至150名专门设计人员,致力于AI芯片设计。


三星电子进军高性能汽车半导体市场的征程始于2018年,当时该公司宣布推出Exynos Auto品牌。去年,该公司推出了采用5nm工艺的Exynos Auto V920,并宣布与现代汽车公司开展半导体合作,表明其致力于自动驾驶和电动汽车时代的决心。


然而,自 2022 年底以来,人工智能的兴起和 ChatGPT 等发展促使三星修改了其芯片设计战略。最近的电动汽车鸿沟现象(在大规模采用之前需求暂时放缓)以及现代汽车公司和特斯拉等全球汽车制造商正在开发自己的芯片的事实也影响了这一战略转变。


三星电子相关人士表示:“公司的组织重组细节尚未最终确定。”这表明,虽然对AI芯片开发的关注点已经明确,但重组的具体细节仍在制定中。


疯狂抢人


业内人士周四表示,在快速增长的人工智能 (AI) 芯片市场激烈的领导地位竞争中,三星电子和 SK 海力士本周启动了各自的招聘程序,以聘请大量半导体专家。


韩国两大芯片制造商在七月份发布招聘信息的情况并不常见。


他们最近的举措被解读为引领高带宽存储器(HBM)市场的努力的一部分,随着人工智能技术的快速发展,高带宽存储器(HBM)的全球需求不断增长。


三星负责半导体业务的设备解决方案 (DS) 部门周三宣布,将在下周二之前接收求职申请,以招聘约 800 名有经验的工人,他们将在该公司全国各地的工厂工作。


此次招聘是在 DS 部门于 2 月份寻找大量技术工人的五个月后进行的。这也是三星电子副董事长全永铉 (Jun Young-hyun) 领导下发布的首个职位空缺,他于 5 月份受命负责指导该集团的半导体业务。


此外,这家科技巨头最近将其 HBM 开发团队合并为一个,以加强其对 AI 芯片的研发。


业内人士认为,随着人们对芯片行业复苏的乐观情绪日益高涨,三星一直在努力提前争取半导体专家。由于半导体利润的复苏,该公司第二季度的营业利润预计将达到 8.6 万亿韩元(合 62 亿美元)。


全永铉在五月份的就职演说中表示:“我相信,只要我们继续沟通和讨论,我们将能够在短时间内克服最近的困难。”




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